即0.15-0.5MHz 差模干擾為主;
0.5-5MHz 差、共模干擾共存;
5-30MHz 共模干擾為主。
重點注意的是,濾波器件應(yīng)該遠(yuǎn)離變壓器、散熱器,否則很容易跳過濾波電路,直接耦合到L,N線導(dǎo)致EMI超標(biāo)。
1.增大 X 電容量;
2.添加差模電感;
3.小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;
2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;
3.也可改變整流二極管特性來處理例如:快速二極管如 FR107 用普通整流二極管 1N4007來代替。
1.對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)串繞 2-3 圈會對 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;
2.可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán),然后通過一條線連接到原邊的參考地。
3.處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電解并聯(lián)電容的大小。
四.20-30MHZ,(整改建議)
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地 Y2 電容量或改變 Y2 電容位置;
2.調(diào)整一二次側(cè)間的 Y1 電容位置及電容量;
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
1.增加原邊MOS管的驅(qū)動電阻,MOS管D,S之間并10-100pF的高壓瓷片電容(或RC電路)。對大功率電源MOS管D極串引線或貼片磁珠。
2.RCD的緩沖電路采用慢管,RCD的二極管串聯(lián)10-100Ω的電阻。
3.VCC供電的二極管用慢管。
4.調(diào)整一二次側(cè)間的 Y1 電容位置及電容量;
5.減小原邊功率環(huán)(即MOS管,變壓器,大電解回路的)的面積。
6.對單路大電流輸出的適配器等,輸出電解后加雙線并繞的共模電感,圈數(shù)盡量大于3圈。
1.減小副邊功率環(huán)(即二極管,變壓器,輸出電解回路的)的面積。對大功率電源二極管正極可以串引線或貼片磁珠。
2.輸出電解可以采用PI型濾波(靠近二極管的電容,容值稍大)。
3.對單路大電流輸出的適配器等,輸出電解后加雙線并繞的共模電感,圈數(shù)盡量大于3圈。
4.調(diào)整輸出二極管并聯(lián)的RC吸收的參數(shù)。
EMI盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè),將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè),高頻大電流銅箔盡量短,用EMC的儀器測試都沒有什么問題,當(dāng)然低端的用Pai型濾波就可以,20W以上則要變壓器屏敝+共模電感,當(dāng)有Y電容時,后級紋波的大小對EMI影響較大;另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多,成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過,特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓,會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上,這在恒流開關(guān)電源中比較常見。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少,就是很難的問題,共模濾波部分跟初級怎樣布局,大電解電容怎樣放置,散熱器器怎么做,接地應(yīng)該怎么樣接,都需要考慮,X電容與Y電容的排法,都很有講究。比如:共模電感下面不要走初級的任何銅線,但濾波電路可以通過,如果有PFC電感,這個電感離共模電感要遠(yuǎn),而且這個電感下面最好不要放置控制IC,特別是CRM模式的PFC。